氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体化合物,可提供比传统使用的硅更多的优势。在开关应用中使用GaN作为晶体管可以提高效率、缩小外形尺寸,并扩展工作温度范围。这使得GaN十分适合需要高效率和较小外形尺寸的桌面式适配器和其他功率转换应用。
GaN降低了开关损耗,可实现更高的开关频率和更高的功率密度。这些技术改进允许使用较小的内部组件,从而造就了更紧凑的电源。GaN桌面式适配器为注重便携式电源和产品美观的应用提供了更轻便的产品选择。
与硅晶体管相比,GaN具有较低的导通电阻。它通过减少传导损耗提高了效率。GaN还具有低于硅晶体管的栅极和输出电荷,以及接近零的回收电荷。因此,GaN比传统硅晶体管更高效。
由于GaN材料具有宽带隙,可提供比硅更好的导热性。结合更高的效率,能够在更高温度下运行并且更高效地冷却GaN设备,保持适配器低温安全,避免发生热损坏。
索取
样品
产品表
系列