在本视频中，我们将讨论 GaN 如何提高功率密度，以及在电源中使用 GaN 功率晶体管的优势。氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体材料，在功率晶体管中使用时比硅具备更多性能优势。与硅相比，GaN 晶体管的导通损耗和开关损耗更低，开关速度更快，导热性更好。这样可以实现更小的变压器、电感器和电容器，从而提高功率密度。
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